Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon

  1. Aboy, M.
  2. Pelaz, L.
  3. Marqués, L.A.
  4. Enriquez, L.
  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 94

Nummer: 2

Seiten: 1013-1018

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1586990 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus