Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon

  1. Aboy, M.
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  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 94

Nummer: 2

Seiten: 1013-1018

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1586990 GOOGLE SCHOLAR