Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Año de publicación: 2004
Volumen: 216
Número: 1-4
Páginas: 41-45
Tipo: Aportación congreso
ISSN: 0168-583X
Año de publicación: 2004
Volumen: 216
Número: 1-4
Páginas: 41-45
Tipo: Aportación congreso