Boron pocket and channel deactivation in nMOS transistors with SPER junctions

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2006

Volumen: 53

Número: 1

Páginas: 71-76

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2005.860651 GOOGLE SCHOLAR
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