Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2018

Volumen: 124

Número: 15

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.5024836 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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