PROYECTOS NACIONALES
Projecte PB95-0710
SIMULACION Y CARACTERIZACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN SEMICONDUCTORES.
Finançador :
MEC MINISTERIO DE EDUCACIÓN Y CIENCIA
date_range
Duració del 01 de de novembre de 1996 al 01 de de novembre de 1999
(36 mesos)
euro
152.056,06 EUR
D'àmbit Nacional. Amb caràcter Públic.
Investigadors/es
JUAN JOSE
BARBOLLA SANCHO
Responsable
Publicacions relacionades amb el projecte (2)
Mostra per tipologia1999
-
Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics
-
Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics