PROYECTOS NACIONALES
Proiektua PB95-0710
SIMULACION Y CARACTERIZACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN SEMICONDUCTORES.
Finantzatzailea:
MEC MINISTERIO DE EDUCACIÓN Y CIENCIA
date_range
Iraupena 1996(e)ko azaroa-(a)k 01-(e)tik 1999(e)ko azaroa-(a)k 01-(e)ra izan da
(36 months)
euro
152.056,06 EUR
Nazioarteko-arlokoak. Izaera Publikoa-arekin.
Ikertzaileak
JUAN JOSE
BARBOLLA SANCHO
Arduraduna
(2) proiektuarekin lotutako argitalpenak
Erakutsi tipologiaren arabera1999
-
Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics
-
Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics