PROYECTOS NACIONALES
Projekt PB95-0710
SIMULACION Y CARACTERIZACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN SEMICONDUCTORES.
Finanzier:
MEC MINISTERIO DE EDUCACIÓN Y CIENCIA
date_range
Dauer von 01 von November von 1996 bis 01 von November von 1999
(36 Monate)
euro
152.056,06 EUR
Geltungsbereich National. Mit dem Zeichen Öffentlich.
Forscher/innen
JUAN JOSE
BARBOLLA SANCHO
Verantwortlich
Publikationen im Zusammenhang mit dem Projekt (2)
Nach Typologie anzeigen1999
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Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics
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Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics