PROYECTOS NACIONALES
Projet PB95-0710
SIMULACION Y CARACTERIZACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN SEMICONDUCTORES.
Financeur:
MEC MINISTERIO DE EDUCACIÓN Y CIENCIA
date_range
Durée de 01 novembre 1996 à 01 novembre 1999
(36 mois)
euro
152 056,06 EUR
Sphère National. Avec un caractère Public.
Chercheurs
JUAN JOSE
BARBOLLA SANCHO
Responsable
Publications liées au projet
Montrer par typologie1999
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Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics
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Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions
Journal of Applied Physics