LUIS ALBERTO
BAILON VEGA
Investigador en el periodo 1981-2016
Tesis dirigidas (4)
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Simulacion bca de la implantacion ionica en materiales semiconductores: mejora de los modelos fisicos y del tiempo de calculo 2000
Universidad de Valladolid
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Analisis y diseño de dispositivos semiconductores de potencia en sic 1995
Universidad de Valladolid
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Analisis de la conductancia estimulada termicamente en una estructura mos: medida de la densidad de estados de interface generados por rie" 1991
Universidad de Valladolid
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Contribucion al estudio de estructuras pin fuertemente compensadas con un centro profundo aceptor 1981
Universidad de Valladolid
Tribunales de tesis (35)
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Presidente del tribunal
Caracterización de defectos en materiales semiconductores. Aplicación al estudio de nuevos sustratos de silicio para células solares 2014Universidad de Valladolid
Pérez, Eduardo
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Presidente del tribunal
Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas 2011Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Evaluación de sistemas de procesamiento paralelo utilizando lenguajes de descripción de hardware 2011Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Síntesis eficiente de sistemas dinámicos no lineales multidimensionales 2010Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
ECHEVARRIA FERNANDEZ, PABLO
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Presidente del tribunal
Caracterización de dieléctricos de alta permitividad crecidos mediante ald, hprs y ecr-cvd 2006Universidad de Valladolid
García García, Héctor
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Presidente del tribunal
Modelado y análisis de los mecanismos de activación eléctrica del boro en procesos tecnológicos en silicio 2005Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Análisis de los fenómenos de transporte y rúido electrónico en transistores MOSFET y SOI submicrométricos 2003Universidad de Salamanca
RENGEL ESTÉVEZ, RAÚL
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Vocal del tribunal
Simulación de transistores Mosfet: corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento 2002Universidad de Granada
JIMÉNEZ MOLINOS, FRANCISCO
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Presidente del tribunal
Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd 2000Universidad de Valladolid
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Secretario del tribunal
Caracterizacion del dañado electrico residual tras procesos de implantacion ionica y rta en silicio y fosfuro de indio 1998Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo 1998Universidad de Granada
GODOY MEDINA, ANDRES
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Vocal del tribunal
Estudio de dispositivos de potencia igbt laterales y efecto de la temperatura sobre sus caracteristicas electricas 1998Universitat Autònoma de Barcelona
VELLVEHI HERNANDEZ, MIQUEL
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Vocal del tribunal
Estudio de microinhomogeneidades de crecimiento en semiconductores iii-v mediante microscopia raman e interferometria 1997Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Estudio y caracterizacion de peliculas de langmuir-blodgett y su aplicacion para la modificacion de membranas para la separacion de gases 1996Universidad de Valladolid
PEÑACORADA PASCASIO, FLORENCIO
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Presidente del tribunal
Simulacion del sputtering y de la cristalizacion producidos por bombardeo ionico en silicio 1996Universidad de Valladolid
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Secretario del tribunal
Estudio, diseño y fabricacion de dispositivos de potencia mos-tiristor compatibles con un proceso igbt 1995Universitat Autònoma de Barcelona
FLORES GUAL, DAVID
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Vocal del tribunal
Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos 1995Universidad Complutense de Madrid
Martín, J. M.
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Vocal del tribunal
Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores 1995Universidad de Granada
PALMA LOPEZ ALBERTO JOSE
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Vocal del tribunal
Simulacion de la implantacion ionica en cristales, incluyendo baja energia y acumulacion de dañado 1995Universidad de Valladolid
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Secretario del tribunal
Espectroscopias de modulacion y espectroscopia raman en heteroestructuras semiconductoras 1994Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Caracterizacion en estructuras mos del dañado electrico generado por grabado ionico reactivo 1992Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Influencia de la concentración de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. Aplicacion al sistema si: pt 1992Universidad de Granada
JIMENEZ TEJADA JUAN ANTONIO
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Vocal del tribunal
Espectroscopia optica de la admitancia. Caracterizacion del au en si y del el2 en gaas 1990Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Secciones eficaces de captura optica del paladio en el silicio 1990Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Análisis de la degradación del sistema Si-SiO2 producida por inyección Fowler-Nordheim 1990Universidad de Granada
LÓPEZ VILLANUEVA, JUAN ANTONIO
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Vocal del tribunal
Caracterizacion de centros profundos en semiconductores por la tecnica cc-dlos 1989Universidad de Valladolid
VILANOVA SOMOZA, JESUS
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Vocal del tribunal
Estudio de defectos intrinsecos asociados a donadores poco profundos en compuestos ternarios iii-v 1989Universitat de Barcelona
ALTELARREA SORIA, HERMENEGILDO
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Vocal del tribunal
Heterouniones en película delgada de semiconductores compuestos producidos por pulverización rf 1988Universidad Complutense de Madrid
Santamaría Sanchez-Barriga, Jacobo
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Vocal del tribunal
Estudio de las propiedades fotoelectronicas del arseniuro de galio semiaislante (bridgman horizontal) mediante las tecnicas de fotoconductividad y absorcion optica 1983Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Contribucion a la caracterizacion de estructuras metal-aislante-semiconductor de al-sio2-si 1983Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
LTMuP, un sistema multiprocesador cooperativo que tolera la lesión física 1983Universidade de Santiago de Compostela
LOPEZ ZAPATA, EMILIO
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Presidente del tribunal
Una extension del modelo de ebers-moll para el transistor bipolar en condiciones dinamicas 1981Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Contribucion al estudio de estructuras pin fuertemente compensadas con un centro profundo aceptor 1981Universidad de Valladolid
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Secretario del tribunal
Contribucion al estudio de las propiedades de transporte en el asga: gr 1980Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Diseño de elementos de calculo sobre la frecuencia de un tren de pulsos 1979Universidad de Valladolid